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NE-RIE01是一款反應離子刻蝕機，主要用于半導體器件微細加工技術(shù)的干法腐蝕工藝。該設(shè)備帶有淋浴頭氣流分布系統(tǒng)和水冷電極樣品臺，高真空刻蝕腔體，腔室可加熱，腔體的極限真空可達到0.0035pa或更低，整機設(shè)計嚴謹，結(jié)構(gòu)集中，操作簡單直觀，工藝重復性好。設(shè)備采用RIE等離子體刻蝕模式，具有刻蝕速率快、均勻性好、選擇比高、不錯的各向異性等優(yōu)勢。

反應離子刻蝕(reactive ion etching,RIE)包含物理性刻蝕和化學性刻蝕兩種刻蝕作用,刻蝕時,反應室中的氣體輝光放電,產(chǎn)生含有離子、電子及游離基等活性物質(zhì)的等離子體,可擴散并吸附到被刻蝕樣品表面與表面的原子發(fā)生化學反應,形成揮發(fā)性物質(zhì),達到刻蝕樣品表層的目的。同時,高能離子在一定的工作壓力下,射向樣品表面,進行物理轟擊和刻蝕,去除再沉積的反應產(chǎn)物或聚合物?；瘜W反應產(chǎn)生的揮發(fā)性物質(zhì)與物理轟擊的副產(chǎn)物均通過真空系統(tǒng)被抽走。

設(shè)備用途：1、蝕刻各種材料，如Si、SiO2、SiN、Poly-Si、GaAs、Mo、Pt、聚酰亞胺等；2、光刻膠灰化、親疏水改性、表面能提升、官能團引入、生物相容性改善等；